这些产品的关键性能差异点就在于ESD钳位性能。无源元件在ESD事件期间拥有最高的钳位电压，达到67V到超过70V。Semtech硅保护器件的钳位电压为正脉冲45V而负脉冲时44V。安森美半导体的硅保护器件在正ESD脉冲时将ESD事件钳位至15V而在负ESD脉冲时钳位至10V。

 

    与无源元件相比，具有较低钳位电压的硅器件表现得更好。但是，有意思的是，同是硅保护器件，Semtech的Railclam技术和安森美半导体的“集成ESD保护”技术也有着重要差别。用以实现每种类型技术的设计技术能够确定它们对ESD脉冲钳位得怎样。许多用于降低电容的设计技术伴随着具有较高ESD钳位电压的折衷。